本公司主要經(jīng)營(yíng)：西門(mén)子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線(xiàn)電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)保一年。

A5E00158600 CUVP02主板1．電源模塊：PS307—5A；為PLC系統(tǒng)提供穩(wěn)定的24V直流電源。1.2.1選擇SIMATIC可編程控制器的理由如上范例：CPU224XP擴(kuò)展4DI/4DO其地址分配如下圖所示：可查看到數(shù)字量模塊的模塊位 置為0，輸入點(diǎn)起始地址為I2.0，輸出點(diǎn)起始地址為Q2.0 S7-200擴(kuò)展I/O尋址請(qǐng)參考《西門(mén)子S7-200?LOGO!?SITOP參考》V0.95版（更新版）S7-200PLC->功能﹑編程與調(diào)試->訪(fǎng)問(wèn)S7-200的數(shù)據(jù)-尋址->CPU的集成I/O和擴(kuò)展I/O尋址。此種情況下的操作頻率可高達(dá)100kHz。

柵極過(guò)電壓、過(guò)電流防護(hù)

傳統(tǒng)保護(hù)模式：防護(hù)方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件，如下圖的電阻RGE的作用，是使柵極積累電荷泄放（其阻值可取5kΩ）;兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2，是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。在這些應(yīng)用中，IGBT通常是以模塊的形式存在，由IGBT與FWD（續(xù)流芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模半導(dǎo)體產(chǎn)品。使用模塊的優(yōu)點(diǎn)是IGBT已封裝好，安裝非常方便，并且外殼上具有散熱裝置，大功率工作時(shí)散熱快。另外，還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動(dòng)的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì)，以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動(dòng)脈沖電路等。然而即使這樣，在實(shí)際使用的工業(yè)環(huán)境中，以上方案仍然具有比較高的產(chǎn)品失效率——有時(shí)甚至?xí)?%。相關(guān)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和研究表明：這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關(guān)系，而穩(wěn)壓管在此的響應(yīng)時(shí)間和耐電流能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足，從而導(dǎo)致IGBT過(guò)熱而損壞。

A5E00158600 CUVP02主板打開(kāi)“選項(xiàng)>安裝新的GSD...”，把剛下載的GSD文件插入硬件目錄。(注意：此過(guò)程中在HWConfig中無(wú)須打開(kāi)任何窗口)地址的自由分配意味著您可對(duì)每種模塊(SM/FM/CP)自由的分配一個(gè)地址。地址分配在STEP7里進(jìn)行。先定義起始地址，該模塊的其它地址以它為基準(zhǔn)。 27：當(dāng)把CPU315-2DP作為從站，把CPU315-2DP作為主站時(shí)的診斷地址?? 在組態(tài)一個(gè)CPU315-2DP站時(shí)，你使用S7工具“H/WCONFIG”來(lái)分配診斷地址。(注意：此過(guò)程中在HWConfig中無(wú)須打開(kāi)任何窗口) 通過(guò)“選項(xiàng)>更新目錄”來(lái)更新硬件目錄。

目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過(guò)程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無(wú)法抵抗來(lái)自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問(wèn)題。瞬雷電子公司利用在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)和設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，結(jié)合瞬態(tài)抑制二極管的特點(diǎn)，在研究IGBT失效機(jī)理的基礎(chǔ)上，通過(guò)整合系統(tǒng)內(nèi)外部來(lái)突破設(shè)計(jì)瓶頸。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)設(shè)計(jì)的解決方案。

在較大輸出功率的場(chǎng)合，比如工業(yè)領(lǐng)域中的、UPS電源、EPS電源，新能源領(lǐng)域中的風(fēng)能發(fā)電、太陽(yáng)能發(fā)電，新能源汽車(chē)領(lǐng)域的充電樁、電動(dòng)控制、車(chē)載里，隨處都可以看到IGBT的身影。

　　IGBT失效場(chǎng)合：來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流;來(lái)自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線(xiàn)感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過(guò)壓/過(guò)流和柵極的過(guò)壓/過(guò)流引起。

F4-150R12KS4
F4-150R12KS4
F4-100R12KS4
F4-100R06KL4
F3L300R07PE4
DZ800S17K3
DZ600N12K
DP15H1200T
DP10H1200T
DM2G400SH6N
DM2G400SH6A
DM2G300SH6N
DM2G300SH12A 使用IGBT的時(shí)候，首先要關(guān)注原廠(chǎng)提供的數(shù)據(jù)、應(yīng)用手冊(cè)。在數(shù)據(jù)手冊(cè)中，尤其要關(guān)注的是IGBT重要參數(shù)，如靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)、短參數(shù)、熱性能參數(shù)。這些參數(shù)會(huì)告知我們IGBT的*值，就是*不能越的。設(shè)計(jì)完之后，在工作時(shí) IGBT的參數(shù)也是同樣需要保證在合理數(shù)據(jù)范圍之內(nèi)。
DM2G200SH6N
DM2G150SH12A
DM2G100SH6N
DIM800NSM33-F076
DIM800NSM33-F011
DF300R12KE3
DDB6U84N16RR
DDB6U144N16RR
DDB6U144N16R
DDB6U134N16RR
DDB6U104N16RR

A5E00158600 CUVP02主板6．程序的數(shù)據(jù)塊49：如何連接一個(gè)電位計(jì)到6ES7331-1KF0-0AB0?

IGBT 的柵極－發(fā)射極驅(qū)動(dòng)電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會(huì)損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開(kāi)路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極－發(fā)射極有電流流過(guò)。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí) , 可能會(huì)使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動(dòng)過(guò)程中使得柵極回路斷開(kāi) , 在不被察覺(jué)的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會(huì)損壞。為防止此類(lèi)情況發(fā)生 , 應(yīng)在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。

在新能源汽車(chē)中，IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車(chē)成本的15-20%，也就是說(shuō)IGBT占整車(chē)成本的7-10%，是除之外成本第二高的元件，也決定了整車(chē)的能源效率。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復(fù)合體 , 特別是其柵極為 MOS 結(jié)構(gòu) , 因此除了上述應(yīng)有的保護(hù)之外 , 就像其他 MOS 結(jié)構(gòu)器件一樣 ,IGBT 對(duì)于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對(duì) IGBT 進(jìn)行裝配焊接作業(yè)時(shí)也必須注意以下事項(xiàng)：
—— 在需要用手接觸 IGBT 前 , 應(yīng)先將人體上的靜電放電后再進(jìn)行操作 , 并盡量不要接觸模塊的驅(qū)動(dòng)端子部分 , 必須接觸時(shí)要保證此時(shí)人體上所帶的靜電已全部放掉 ;
—— 在焊接作業(yè)時(shí) , 為了防止靜電可能損壞 IGBT, 焊機(jī)一定要可靠地接地。

A5E01283291原裝
A5E01283282-001驅(qū)動(dòng)板
6SE7041-2WL84-1JC0觸發(fā)板
6SE7041-2WL84-1JC1驅(qū)動(dòng)板
電阻模塊A5E00281090
A5E00682888
A5E00194776
6SE7038-6GK84-1JC2驅(qū)動(dòng)板
6SL3162-1AH00-0AA0
A5E01540278排線(xiàn)連接線(xiàn)
A5E01540284連接線(xiàn)
A5E00281090電阻模塊
CUR板C98043-A1680-L1
控制板6SE7090-0XX85-1DA0
6SL3040-1MA00-0AA0控制單元
6SE7033-7EG84-1JF0板驅(qū)動(dòng)板
6SE7035-1EJ84-1JC0驅(qū)動(dòng)板
6SE7090-0XX84-6AD5控制板
6SY7000-0AC07
霍爾傳感器ES2000-9725

A5E00158600 CUVP02主板③、功能函數(shù)(FC)：是程序的基本模塊，大多數(shù)的數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)處理、以及數(shù)據(jù)傳輸程序*都以功能函數(shù)的形式存在，本質(zhì)上這些功能函數(shù)就是能完成一定功能的子程序。功能函數(shù)可以有形式參數(shù)也可以沒(méi)有形式參數(shù)。55：在SIMATICPCS7中使用FM355或者FM355-2要特別注意什么？ 在將RAM中的內(nèi)容復(fù)制到ROM中時(shí)，數(shù)據(jù)塊的實(shí)際數(shù)值將被從RAM中傳送到裝載存儲(chǔ)器，形成數(shù)據(jù)塊的初始值。輸出點(diǎn)一般對(duì)應(yīng)于比較器,首先在硬件組態(tài)中定義比較器輸出類(lèi)型,如:輸出值為1或?yàn)槊}沖輸出,然后在程序中設(shè)置比較值。

IGBT模塊FZ2400R17KE3調(diào)試步驟：

6SE7090-0XX84-0K...

IGBT模塊FZ2400R17K...